عنوان : ( بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین )
نویسندگان: سید محمد رضوی , سید حمید ظهیری , سید ابراهیم حسینی ,
دانلود فایل برای اعضای دانشگاهبر اساس تصمیم نویسنده مقاله دسترسی به متن کامل برای اعضای غیر دانشگاه ممکن نیست
چکیده
در این مقاله، یک ترانزیستور HEMT گالیوم نیترایدی با یک لایه نیمه هادی نوع P در لایه سد در هر دو سمت سورس و درین (PL-SD) مورد بررسی قرار می گیرد. مهم ترین پارامترهای الکتریکی این ترانزیستور را مانند خازن گیت- سورس، خازن گیت- درین، هدایت انتقالی، فرکانس قطع، میدان الکتریکی افقی، ولتاژ شکست، هدایت خروجی و جریان درین اشباع به وسیله نرم افزار دوبعدی اطلس شبیه سازی می کنیم. نتایج شبیه سازی شده در ساختار پیشنهادی با دو ساختار دیگر با لایه P در سمت سورس (PL-S) و لایه p در سمت درین (D-PL) و ساختار مرسوم مقایسه می شوند. مطابق نتایج به دست آمده ساختار پیشنهادی باعث بهبود خازن گیت- سورس، ماکسیمم هدایت انتقالی، فرکانس قطع و هدایت خروجی در مقایسه با ساختار D_PL می گردد. همچنین این ساختار جدید باعث کاهش ماکسیمم میدان الکتریکی در گوشه گیت سمت درین شده و در نتیجه، ولتاژ شکست را به میزان قابل ملاحظه ای در مقایسه با ساختار مرسوم افزایش می دهد. افزایش طول Lp و ضخامت Tp لایه P در ساختارهای S-PL و SD-PL باعث بهبود ولتاژ شکست، خازن گیت- سورس، خازن گیت- درین و هدایت خروجی خواهد شد.
کلمات کلیدی
, HEMT, خازن گیت, هدایت انتقالی, میدان الکتریکی, هدایت خروجی, ولتاژ شکست
@article{paperid:1068899,
author = {سید محمد رضوی and سید حمید ظهیری and حسینی, سید ابراهیم},
title = {بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین},
journal = {مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران},
year = {2017},
volume = {15},
number = {3},
month = {October},
issn = {1682-3745},
pages = {217--222},
numpages = {5},
keywords = {HEMT، خازن گیت، هدایت انتقالی، میدان الکتریکی، هدایت خروجی، ولتاژ شکست},
}
%0 Journal Article
%T بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین
%A سید محمد رضوی
%A سید حمید ظهیری
%A حسینی, سید ابراهیم
%J مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران
%@ 1682-3745
%D 2017
