@article{paperid:1068899,
author = {سید محمد رضوی and سید حمید ظهیری and حسینی, سید ابراهیم},
title = {بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین},
journal = {مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران},
year = {2017},
volume = {15},
number = {3},
month = {October},
issn = {1682-3745},
pages = {217--222},
			numpages = {5},
keywords = {HEMT، خازن گیت، هدایت انتقالی، میدان الکتریکی، هدایت خروجی، ولتاژ شکست},
}