عنوان : ( تحلیل عددی پدیده‌ی اختلاط مغناطیسی در یک جریان الکترواسموتیک بین دو صفحه موازی )
نویسندگان: مرتضی دلاکه نژاد , سید علی میربزرگی , حمید نیازمند ,
Full Textچکیده
چکیده در مقاله حاضر، اختلاط در جریان الکترواسموتیک در حضور یک میدان مغناطیسی با سه موقعیت مختلف مکانی بهصورت عددی مطالعه و شبیهسازی شده است. هندسه جریان یک مجرای دوبعدی بین دو صفجه موازی است و جریان مورد نظر تراکم ناپذیر، دائم و آرام فرض شده است. معادلات حاکم بر مسأله، شامل معادلات اندازه حرکت اصلاح شده )ناویر-استوکس( برای میدان جریان سیال، معادلات میدانهای پتانسیل الکتریکی خارجی و داخلی، معادلات توزیع غلظت یونهای مثبت و منفی )ارنست-پلانک(، معادله میدان مغناطیسی و معادلهی غلظت گونهها به روش عددی حجم محدود حل شده است. به منظور اعتبارسنجی برنامه عددی، یک جریان ایدهآل الکترواسموتیک که در آن سراسر دیوارهها باردار میباشد، شبیهسازی گردیده است و نتایج آن با نتایج تحلیلی موجود مقایسه شده است. نتایج عددی نشان میدهد که در حضور یک میدان مغناطیسی برای جریان در یک ریزمجرا، راندمان اختلاط نسبت به حالت عدم حضور میدان مغناطیسی افزایش 19 درصد میرسد. البته این در حالی است که میدان مغناطیسی قبل از لایه / چشمگیری مییابد، به طوری که راندمان اختلاط نهایی حداکثر به 9 دوگانه الکتریکی اعمال شده باشد
کلمات کلیدی
, ریزمخلوطگر, راندمان اختلاط, میدان الکتریکی, شبیهسازی عددی, ناویر-استوکس.
@article{paperid:1087443,
author = {مرتضی دلاکه نژاد and سید علی میربزرگی and نیازمند, حمید},
title = {تحلیل عددی پدیده‌ی اختلاط مغناطیسی در یک جریان الکترواسموتیک بین دو صفحه موازی},
journal = {علوم کاربردی و محاسباتی در مکانیک},
year = {2021},
month = {May},
issn = {2008-918x},
keywords = {ریزمخلوطگر، راندمان اختلاط، میدان الکتریکی، شبیهسازی عددی، ناویر-استوکس.},
}
%0 Journal Article
%T تحلیل عددی پدیده‌ی اختلاط مغناطیسی در یک جریان الکترواسموتیک بین دو صفحه موازی
%A مرتضی دلاکه نژاد
%A سید علی میربزرگی
%A نیازمند, حمید
%J علوم کاربردی و محاسباتی در مکانیک
%@ 2008-918x
%D 2021
