عنوان : ( خواص الکترونیکی ترکیب Zn1-xCuxO با استفاده از محاسبات اصول اولیه )
نویسندگان: نرگس قجری بردر , فاطمه روزبان , محمد حسینی , احمد کمپانی , مجید ابراهیمی زاده ابریشمی ,چکیده
در این پژوهش خواص الکترونیکی از جمله ساختار نواری انرژی، چگالی حالتها و گاف نواری ترکیب های Zn1-xCuxO محاسبه و اثر اتم مس در ساختار نواری و چگالی حالتها بررسی شده است. محاسبات به روش پتانسل کامل امواج تخت تقویت شده خطی در چهارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. مقدار گاف مستقیم برای اکسید روی خالص 0.8 الکترون ولت به دست آمد که با افزایش درصد مس مقدار گاف کاهش می یابد.
کلمات کلیدی
, اصول اولیه, Zn1-xCuxO, خواص الکترنیکی@inproceedings{paperid:1019611,
author = {قجری بردر, نرگس and روزبان, فاطمه and حسینی, محمد and کمپانی, احمد and ابراهیمی زاده ابریشمی, مجید},
title = {خواص الکترونیکی ترکیب Zn1-xCuxO با استفاده از محاسبات اصول اولیه},
booktitle = {دهمین کنفرانس ماده چگال ایران},
year = {2011},
location = {شیراز, ايران},
keywords = {اصول اولیه، Zn1-xCuxO، خواص الکترنیکی},
}
%0 Conference Proceedings
%T خواص الکترونیکی ترکیب Zn1-xCuxO با استفاده از محاسبات اصول اولیه
%A قجری بردر, نرگس
%A روزبان, فاطمه
%A حسینی, محمد
%A کمپانی, احمد
%A ابراهیمی زاده ابریشمی, مجید
%J دهمین کنفرانس ماده چگال ایران
%D 2011