عنوان : a new technique for calculation of the projected range distribution of implanted ions in solis state materials ( روش جدید برای محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها )
نویسندگان: محمد مولوی کاخکی ,
دانلود فایل برای اعضای دانشگاهبر اساس تصمیم نویسنده مقاله دسترسی به متن کامل برای اعضای غیر دانشگاه ممکن نیست
چکیده
کاشت یون نقش بسیار مهمی در ساخت انواع ادوات نیمه هادی و مدارات مجتمع ایفا می کند و شبیه سازی کاشت یون و محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون ها یکی از مبنای اصلی در طراحی VLSI است در این نوشتار نیز یک مدل فیزیکی جدید برای این منظور ارائه می شود. این مدل که مبتنی است بر تکنیک معادله ی انتقال به کار گرفته شده توسط فوروکاوا و وایشیورا [1] ولی با در نظر گرفتن پراکندگی زوایه یی یون ها قابلیت به کارگیری انواع مقاطع بر همکنش های هسته یی را دارد مقایسه ی نتایج حاصل از این شبیه سازی با نتایج اندازه گیری شده و سایر کارهای نظری انجام شده در زمینه صحت دقت زیاد این مدل فیزیکی را تأیید می کند .
کلمات کلیدی
روش جدید برای محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها
@article{paperid:102016,
author = {مولوی کاخکی, محمد},
title = {a new technique for calculation of the projected range distribution of implanted ions in solis state materials},
journal = {شریف},
year = {2005},
number = {30},
month = {September},
issn = {1028-7167},
pages = {65--75},
numpages = {10},
keywords = {روش جدید برای محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون های پرتاب شده در نیمه هادی ها},
}
%0 Journal Article
%T a new technique for calculation of the projected range distribution of implanted ions in solis state materials
%A مولوی کاخکی, محمد
%J شریف
%@ 1028-7167
%D 2005
