عنوان : ( معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی )
نویسندگان: زینب ظهیری , سید ابراهیم حسینی , بهنام کبیریان دهکردی ,
Full Textچکیده
در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس مفهوم وارونگی سطحی ارائه می شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n بوده در حالی که ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور با استفاده از تنها دو ناحیه n و p ساخته شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+ امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده بهره جریان قابل قبول و فرکانس قطع بسیار بالایی دارد.
کلمات کلیدی
, ترانزیستور دوقطبی, وارونگی سطحی, تجمع الکترونها, بهره جریان
@inproceedings{paperid:1026915,
author = {زینب ظهیری and حسینی, سید ابراهیم and بهنام کبیریان دهکردی},
title = {معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی},
booktitle = {کنفرانس فیزیک ایران 1389},
year = {2010},
location = {همدان, ايران},
keywords = {ترانزیستور دوقطبی، وارونگی سطحی، تجمع الکترونها، بهره جریان},
}
%0 Conference Proceedings
%T معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی
%A زینب ظهیری
%A حسینی, سید ابراهیم
%A بهنام کبیریان دهکردی
%J کنفرانس فیزیک ایران 1389
%D 2010
