عنوان : ( محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه )
نویسندگان: ایمان عباس پور کازرونی , سید ابراهیم حسینی , محسن خانی پرشکوه ,
Full Textچکیده
در این مقاله مدلی برای جریان تونل زنی گیت در ماسفت های با اکسید گیت خیلی نازک ارایه شده است. در این مدل، با در نظر گرفتن لایه وارونگی به شکل چاه پتانسیل و ساده سازی ها و محاسبه ضخامت این چاه، تابع موج الکترون ها در واسط میان نیمه هادی و اکسید را محاسبه می کنیم. مقدار تابع موج به دست آمده در محل اتصال نیمه هادی و اکسید، مقداری غیر صفر است که بر طبق جدیدترین نتایج، سازگاری بیشتری با کارهای تجربی دارد. سپس با استفاده از تابع موج حاصل، چگالی جریان تونل زنی الکترون ها محاسبه می شود. نتایج حاصل تطابق بالایی با مقالات ارایه شده در این زمینه دارد.
کلمات کلیدی
, تابع موج, چاه پتانسیل, چگالی جریان تونل زنی
@inproceedings{paperid:1026926,
author = {ایمان عباس پور کازرونی and حسینی, سید ابراهیم and محسن خانی پرشکوه},
title = {محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه},
booktitle = {هجدهمین کنفرانس مهندسی برق},
year = {2010},
location = {اصفهان, ايران},
keywords = {تابع موج، چاه پتانسیل، چگالی جریان تونل زنی},
}
%0 Conference Proceedings
%T محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه
%A ایمان عباس پور کازرونی
%A حسینی, سید ابراهیم
%A محسن خانی پرشکوه
%J هجدهمین کنفرانس مهندسی برق
%D 2010
