ویژگی ھای ساختاری و الکترونی ترکیبات 3 بررسی شد. بھمنظور (Wien2k ر) )چارچوب نظری ھ تابع ی چگالی( برنامھ L د)APW+lo) اوربیتالھای موضعی مطالعھ اثر انرژی برھمکنش تبادلی برساختارنواری و اثر متقابل آن بر پایداری ساختار کریستالی و ویژگیھای کھ از لحاظ ساختار کریستالی مشابھ می- ،Y2TSi ترکیبات غیرمغناطیس متناظر آنھا، 3 ،Gd2TSi ترابرد ترکیبات 3 در ترکیب نسبت بھ حالت خالص، پیدایش ابرالکترونی اسپین Gd باشند؛ نیزمطالعھ شدند. کاھش گشتاور مغناطیسی در Si سر پایین در منحنی چگالی الکترونھای رسانش حول ی ، و نکماغھناطشی سغی رع ا د ی ن ی رو ی و ا ر د ب ر ا تم و مشاھده نوار باریکی در ساختار نواری اسپین پایین در نزدیکی تراز فرمی ترکیبات Y نسبت بھ Gd ترکیبات شامل را ،(d-f) s-f جایگزیدگی الکترونھای رسانش اسپین سحرپا وییلن یون مغناطیسی، د ر اث ر برھمکنش تبادلی ،Gd ی ک د م ا ی خ اص Gرd2د TSi عن و ا ن مبنھش ا ر ف ت ا ر غی رع ا د ی مشا ھ د هشددهر م نحمنق ایو م ت ا ل کت ری ک ی ترکیبات 3 می- Gd2PtSi بیشتر از 3 Gd2PdSi پیشنھاد کرد. محاسبات ما نشان میدھد کشھدت این جایگزیدگی در 3 ؛ (Tmin) ک اھش انرژی برھمکنش تبادلی ،Gd باشد کھ باید افزایش دمای کمینگی مقاومت الکتریکی، کاھش گشتاور مغناطیسی موجب شود کھ با مشاھدات، Gd2PtSi نسبت بھ 3 Gd2PdSi و در نتیجھ کاھش دمای نظم مغناطیسی 3 Gd یونھای در توافق است. Doniach اندازهگیریھای تجربی و نمودار ف

کلمات کلیدی