در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه میشود. در این ساختار است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با p-n پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول n ناحیه ،p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p و n استفاده از دو ناحیه + امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده بهره جریان قابل توجه و فرکانس قطع بسیار بالایی دارد.

کلمات کلیدی