عنوان : ( معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی )
نویسندگان: زینب ظهیری , سید ابراهیم حسینی , بهنام کبیریان دهکردی ,
Full Textچکیده
در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه میشود. در این ساختار است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با p-n پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول n ناحیه ،p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p و n استفاده از دو ناحیه + امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده بهره جریان قابل توجه و فرکانس قطع بسیار بالایی دارد.
کلمات کلیدی
, ترانزیستور دوقطبی, وارونگی سطحی, بهره جریان بالا, شبیه سازی عددی دو بعدی
@article{paperid:1043711,
author = {زینب ظهیری and حسینی, سید ابراهیم and بهنام کبیریان دهکردی},
title = {معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی},
journal = {مهندسی برق و الکترونیک ایران},
year = {2014},
volume = {11},
number = {2},
month = {October},
issn = {۲۶۷۶-۵۸۱۰},
pages = {9--13},
numpages = {4},
keywords = {ترانزیستور دوقطبی، وارونگی سطحی، بهره جریان بالا، شبیه سازی عددی دو بعدی},
}
%0 Journal Article
%T معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی
%A زینب ظهیری
%A حسینی, سید ابراهیم
%A بهنام کبیریان دهکردی
%J مهندسی برق و الکترونیک ایران
%@ ۲۶۷۶-۵۸۱۰
%D 2014
