عنوان : ( طیف سنجی تونل زنی روبشی در مطالعه نانو مواد )
نویسندگان: صدیقه صادق حسنی , فاطمه خاکراه , نفیسه هاشمیان کاخکی ,بر اساس تصمیم نویسنده مقاله دسترسی به متن کامل برای اعضای غیر دانشگاه ممکن نیست
چکیده
اختراع میکروسکوپ تونلزنی روبشی، سطح علم و دانش بشر را دچار تحول اساسی کرد(1) و برای اولین بار درک مستقیم اتمهای منحصر به فرد بر روی یک سطح را ممکن ساخت. علاوه بر امکان تهیه اطلاعات توپوگرافی به وسیله این میکروسکوپ، تهیه یک سری اطلاعات از حالات الکترونی و طیف انرژی از قابلیت رسانایی (هدایت) دینامیکی موضعی (dI/dV)(2-3) نیز میسر است. این روش که حجم زیادی از اطلاعات و جزئیات حالات الکترونیکی در سطوح مختلف را تهیه میکند، طیف سنجی تونل زنی روبشی نامیده میشود.
کلمات کلیدی
, طیف سنجی, تونل زنی روبشی, نانو مواد@article{paperid:1044574,
author = {صدیقه صادق حسنی and خاکراه, فاطمه and هاشمیان کاخکی, نفیسه},
title = {طیف سنجی تونل زنی روبشی در مطالعه نانو مواد},
journal = {دانش آزمایشگاهی ایران},
year = {2015},
volume = {3},
number = {11},
month = {December},
issn = {2228-5385},
keywords = {طیف سنجی،تونل زنی روبشی،نانو مواد},
}
%0 Journal Article
%T طیف سنجی تونل زنی روبشی در مطالعه نانو مواد
%A صدیقه صادق حسنی
%A خاکراه, فاطمه
%A هاشمیان کاخکی, نفیسه
%J دانش آزمایشگاهی ایران
%@ 2228-5385
%D 2015