22nd Iranian Conference on Electrical Enginnering , 2014-05-20

عنوان : ( طراحی ساختارهای تست فرایند ساخت یک ترانزیستور توان و فرکانس بالای VDMOS )

نویسندگان: محمد صادقی , مجتبی جودکی , علی اوسط علیپور , مرتضی راستگو , محمود حاجیان ,

بر اساس تصمیم نویسنده مقاله دسترسی به متن کامل برای اعضای غیر دانشگاه ممکن نیست

استناددهی: BibTeX | EndNote

چکیده

در این مقاله، ساختار تست اندازه گیری عرض خط که یکی از مشخصات فرایند ساخت است، برای ترانزیستور اثر میدانی VDMOS با توان بیشینه-ای برابر با 15 وات و حداکثر فرکانس کاری 400 مگاهرتز طراحی شده است. هم چنین جانمایی ساختار تست فوق، با توجه به ابعاد ترانزیستور ساخته شده، طراحی شده است. در ترانزیستورهای توان و فرکانس بالا، مقدار خازن ها از پارامترهای مهم فرایند ساخت است. به علت ساختار عمودی ترانزیستور مورد نظرمان، ساختار جدیدی جهت اندازه گیری منحنی خازن اکسید گیت بر حسب ولتاژ گیت معرفی و نهایتا جانمایی آن مطابق با ابعاد ترانزیستورفوق، طراحی شده است.

کلمات کلیدی

, ترانزیستور اثر میدانی VDMOS, ساختار تست فرایند ساخت, ساختار تست خازن گیت
برای دانلود از شناسه و رمز عبور پرتال پویا استفاده کنید.

@inproceedings{paperid:1046304,
author = {صادقی, محمد and جودکی, مجتبی and علی اوسط علیپور and مرتضی راستگو and محمود حاجیان},
title = {طراحی ساختارهای تست فرایند ساخت یک ترانزیستور توان و فرکانس بالای VDMOS},
booktitle = {22nd Iranian Conference on Electrical Enginnering},
year = {2014},
location = {تهران, ايران},
keywords = {ترانزیستور اثر میدانی VDMOS، ساختار تست فرایند ساخت، ساختار تست خازن گیت},
}

[Download]

%0 Conference Proceedings
%T طراحی ساختارهای تست فرایند ساخت یک ترانزیستور توان و فرکانس بالای VDMOS
%A صادقی, محمد
%A جودکی, مجتبی
%A علی اوسط علیپور
%A مرتضی راستگو
%A محمود حاجیان
%J 22nd Iranian Conference on Electrical Enginnering
%D 2014

[Download]