عنوان : ( بررسی ساختار الکترونی، پراکندگی فونون و برهمکنش الکترون- فونون در ابررسانای 2 MgB )
نویسندگان: محمود رضائی رکن آبادی , تکتم مرشدلو , محسن مدرسی سریزدی ,
Full Textچکیده
در این مقاله ساختار نواری الکترونی حالت پایه، چگالی حالت کلی و جزئی الکترونی، پراکندگی فونونی، برهمکنش الکترون– فونون و تابع الیشبرگ همسانگرد در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی با استفاده از محاسبات اصول اولیه محاسبه و نمودارهای آنها رسم و آنالیز شده است. نتایج ساختار نواری و چگالی حالت های کلی و جزئی نشان می دهند که حفرههای بالای نوار σ ناشی از اربیتال های Px و Py اتم بور به میزان زیاد و حفره های نوار π ناشی از اربیتال Pz این اتم به میزان جزئی، زوج حفره¬های حالت ابررسانایی را تشکیل می دهند. بر اساس طیف تابع الیشبرگ همسانگرد محاسبه شده، بخش بزرگی از جفت شدگی، بین حفره¬های بالای نوار σ مربوط به اتم های B با مدهای فونونی اپتیکی با تقارن g2E در نقطه ی Г (ناشی از نوسانات داخل صفحه ای پیوندهای B-B ) رخ میدهد. ثابت جفت شدگی الکترون- فونون (λ ) محاسبه و 74/0 بدست آمد. با استفاده از فرمول مک میلان، دمای گذار K 40 تخمین زده شد.
کلمات کلیدی
, ساختار الکترونی؛ پراکندگی فونونی؛ برهمکنش الکترون, فونون؛ تابع الیاشبرگ همسانگرد؛دمای بحرانی ابررسانایی؛ MgB2
@inproceedings{paperid:1055806,
author = {رضائی رکن آبادی, محمود and مرشدلو, تکتم and محسن مدرسی سریزدی},
title = {بررسی ساختار الکترونی، پراکندگی فونون و برهمکنش الکترون- فونون در ابررسانای 2 MgB},
booktitle = {کنفرانس فیزیک محاسباتی ایران 1392},
year = {2014},
location = {تهران, ايران},
keywords = {ساختار الکترونی؛ پراکندگی فونونی؛ برهمکنش الکترون-فونون؛ تابع الیاشبرگ همسانگرد؛دمای بحرانی ابررسانایی؛
MgB2},
}
%0 Conference Proceedings
%T بررسی ساختار الکترونی، پراکندگی فونون و برهمکنش الکترون- فونون در ابررسانای 2 MgB
%A رضائی رکن آبادی, محمود
%A مرشدلو, تکتم
%A محسن مدرسی سریزدی
%J کنفرانس فیزیک محاسباتی ایران 1392
%D 2014
