به¬منظور بررسی اثر میدان مغناطیسی با شدت و زمان¬های مختلف قرارگیری بر روی برخی از صفات جوانه¬زنی بذر نخود (Cicer arietinum L) رقم ILc482، آزمایشی در سال 1392در آزمایشگاه تحقیقات عالی دانشکده کشاورزی دانشگاه فردوسی مشهد، در قالب طرح کاملا تصادفی با سه تکرار اجرا شد. تیمارهای این مطالعه عبارت بودند از: شدت میدان مغناطیس در دو سطح (100 و 150 میلی تسلا) و زمان قرارگیری در معرض میدان مغناطیس در 5 سطح ( 1، 2، 3، 4 و 5 ساعت) و تیمار شاهد نیز بدون اعمال میدان مغناطیسی در آزمایش در نظر گرفته شد. نتایج نشان داد که میدان مغناطیسی به طور معنی داری بر جوانه زنی نخود تاثیر گذار بود. بذوری که در معرض میدان 100 میلی تسلا بمدت دو ساعت قرار گرفتند، بیشترین میزان طول ریشه چه را داشتند بطوریکه طول ریشه چه نسبت به تیمار شاهد (33/6 سانتی متر) 33 درصد افزایش یافت. در تیمار میدان مغناطیسی با شدت 150 میلی تسلا و بمدت 5 ساعت، میزان طول ریشه چه نسبت به تیمار شاهد، 30 درصد افزایش نشان داد. طول ساقه چه بذور نخود در تیمار اعمال دو ساعت میدان مغناطیسی 100 میلی تسلا نسبت به تیمار شاهد (67/1 سانتی¬متر) و در تیمار اعمال 5 ساعت میدان مغناطیسی 150 میلی تسلا به میزان 9/46 درصد افزایش یافت. بیشترین میزان وزن خشک ریشه¬چه در تیمار 2 ساعت زمان میدان مغناطیسی 150 میلی تسلا بود که نسبت به تیمار شاهد 9/51 درصد افزایش نشان داد. در تیمار اعمال 5 ساعت میدان مغناطیسی شدت 150 میلی تسلا 46 درصد وزن خشک ساقه¬چه نخود نسبت به تیمار شاهد بیشتر بود و همچون سایر صفات مورد اندازه¬گیری، تیمار ذکر شده بیشینه وزن خشک ساقه چه نخود را به خود اختصاص داد. اما وزن خشک بقایای بذر در اثر میدان مغناطیسی کاهش یافت. از آنجا که میدان مغناطیس سبب بهبود رشد گیاه¬چه می¬شود در نتیجه تخلیه مواد غذایی سازنده بذر سریع¬تر و بهتر صورت می¬گیرد و در نتیجه منجر به سریع شدن دوره رشد در زمان جوانه¬زنی بذر نخود در شرایط آزمایشگاهی خواهد شد.

کلمات کلیدی