افزایش غلطت دی اکسید کربن باعث افزایش عملکرد گیاهان سه کربنه می شود. تولید غده بذری سالم و با کیفیت یکی از عوامل مهم در افزایش تولید سیب زمینی می باشد. به منظور بررسی تاثیر افزایش غلظت دی اکسید کربن بر متغیرهای تبادل گازی و عملکرد دو رقم ریزغده سیب زمینی (Solanum tuberosum) پژوهشی در شرایط کنترل شده در دانشکده کشاورزی دانشگاه فردوسی مشهد انجام شد. آزمایش به صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی با سه تکرار انجام شد که عامل اول شامل دو سطح دی اکسید کربن 400 و 800 پی پی ام و عامل دوم دو رقم ریزغده سیب زمینی ( آگریا و فونتانه) بودند. 50 روز پس از کاشت در اوایل غده دهی متغیرهای تبادل گازی و برخی ویژگیهای مورفوفیزیولوژیک مورد بررسی قرار گرفتند. افزایش دی اکسید کربن باعث افزایش 32 درصدی میزان فتوسنتز خالص و افزایش 29 درصدی عملکرد در بوته شد. همچنین افزایش غلظت دی اکسید کربن موجب افزایش قابل توجه کارایی مصرف آب به میزان 34 درصد شد، که به دلیل افزایش معنی دار میزان فتوسنتز خالص و کاهش اندک هدایت روزنه ای و به طبع آن، کاهش میزان تعرق بود. سطح ویژه برگ در پاسخ به افزایش غلظت دی اکسید کربن کاهش و در مقابل وزن ویژه برگ به میزان 8 درصد افزایش نشان داد. با وجود بیشتر بودن میزان فتوسنتز رقم آگریا در هر دو شرایط دی اکسید کربن، میزان عملکرد رقم فونتانه با افزایش دی اکسید کربن بطور قابل توجهی نسبت به رقم آگریا افزایش پیدا کرد (39 در مقابل 17 درصد)، که احتمالا به دلیل انتقال بیشتر مواد فتوسنتزی به ریز غده ها در رقم فونتانه بوده است. با توجه به نتایح حاصل از این پژوهش، به نظر می رسد که افزایش میزان فتوسنتز در واحد سطح برگ و افزایش کارایی مصرف آب دانست

کلمات کلیدی