عنوان : ( بررسی خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبات تنگستن و مولیبدن دی سولفید ودی سلنید با استفاده از محاسبات اصول اولیه )
نویسندگان: انسیه رحمتی , محمود رضائی رکن آبادی , محمد بهدانی ,
Full Textچکیده
در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبات MoS2 MoSe2 WS2 WSe2 با استفاده از محاسبات اصول اولیه بررسی شده است .محاسبات به روش امواج تقویت شده خطی در چارچوب نظریه تابعی چگالی با تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است.نتایج بدست امده نشان می دهد که این مواد به ترتیب گاف نواری مستقیم 1.64ev 1.32ev 1.36ev 1.68ev دارند و با توجه به نمودارهای جذب و بازتاب گستره ی انرژی قابل توجهی برای این مواد گزارش شده که این ترکیبات گزینه مناسبی برای کاربردهای اپتیکی می باشد.
کلمات کلیدی
خواص الکترونیکی و اپتیکی
@inproceedings{paperid:1064443,
author = {رحمتی, انسیه and رضائی رکن آبادی, محمود and بهدانی, محمد},
title = {بررسی خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبات تنگستن و مولیبدن دی سولفید ودی سلنید با استفاده از محاسبات اصول اولیه},
booktitle = {کنفرانس فیزیک ایران 1396},
year = {2017},
location = {یزد, ايران},
keywords = {خواص الکترونیکی و اپتیکی},
}
%0 Conference Proceedings
%T بررسی خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبات تنگستن و مولیبدن دی سولفید ودی سلنید با استفاده از محاسبات اصول اولیه
%A رحمتی, انسیه
%A رضائی رکن آبادی, محمود
%A بهدانی, محمد
%J کنفرانس فیزیک ایران 1396
%D 2017
