عنوان : ( سنتز گرافن با لایه برداری توسط سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن و به کمک مواد شیمیایی ((سدیم هگزامتافسفات)) و ((لیگنوسولفونات سدیم)) )
نویسندگان: شهاب الدین سعیدی , جواد سرگلزائی ,
دانلود فایل برای اعضای دانشگاهبر اساس تصمیم نویسنده مقاله دسترسی به متن کامل برای اعضای غیر دانشگاه ممکن نیست
چکیده
در این مقاله در موردسنتز گرافن از گرافیت خالص با استفاده ازسیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن بحث شده است.اندازه ملکولی سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن90/3نانومتر و فاصله بین لایه های گرافیت00/3نانومترمی باشدو به همین دلیل سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن به راحتی می تواند بین لایه های گرافیت نفوذ و باعث جدا شدن لایه های گرافیت گردد.در این آزمایش،گرافیت با مواد افزودنی((سدیم هگزامتافسفات))و((لیگنوسولفونات سدیم))مخلوط و داخل دستگاه سیّال فوق بحرانی گذاشته شد.برای آنالیز گرافن حاصل شده،از طیف سنجی هایTEM،RAMANوAFMاستفاده گردید.با تحلیل توپولوژی نمونه ها وبررسی اختلاف سطح لبه های گرافن از سطح بستر،به وضوح تشکیل گرافن تک لایه بسیار نازکی با ضخامت 596/3نانومترتایید شد.در این مقاله نشان داده شداگر از((سدیم هگزامتافسفات))به عنوان نسل جدیدافزودنیها استفاده گردد،گرافن گرانبهابا عملکردی بهتروتعدادلایه های کمتر تولید میشود.
کلمات کلیدی
, گرافیت, سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن, لایه برداری, گرافن, مشخصه یابی
@inproceedings{paperid:1091025,
author = {سعیدی, شهاب الدین and سرگلزائی, جواد},
title = {سنتز گرافن با لایه برداری توسط سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن و به کمک مواد شیمیایی ((سدیم هگزامتافسفات)) و ((لیگنوسولفونات سدیم))},
booktitle = {دومین کنفرانس بینالمللی کاربرد مواد و ساخت پیشرفته در صنایع},
year = {2022},
location = {تهران, ايران},
keywords = {گرافیت،سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن، لایه برداری، گرافن، مشخصه یابی},
}
%0 Conference Proceedings
%T سنتز گرافن با لایه برداری توسط سیّال فوق بحرانی دی اکسید کربن و به کمک مواد شیمیایی ((سدیم هگزامتافسفات)) و ((لیگنوسولفونات سدیم))
%A سعیدی, شهاب الدین
%A سرگلزائی, جواد
%J دومین کنفرانس بینالمللی کاربرد مواد و ساخت پیشرفته در صنایع
%D 2022
