عنوان : ( طراحی و شبیه سازی آنتن شیپوری ESIW با بهره بالا و پهنای باند بهبودیافته )
نویسندگان: سیدحسین حقیرالسادات طرنجی , محمدحسن نشاطی ,
دانلود فایل برای اعضای دانشگاهبر اساس تصمیم نویسنده مقاله دسترسی به متن کامل برای اعضای غیر دانشگاه ممکن نیست
چکیده
در این مقاله با استفاده از شکاف تشعشعی، الگوی تابشی آنتن بهبود یافته E با کاهش پهنای پرتو نیم توان در صفحه H صفحه SIW شیپوری است. این شکاف ها می توانند علاوه بر حفظ ابعاد ساختار، تأثیر بسزایی بر روی مشخصات آنتن داشته باشند. قرارگرفتن صفحه بازتابنده در فواصل مناسبی از دهانه و شکاف ها نیز منجر به بهبود سطح پرتوهای فرعی و تشعشع آنتن در جهت معکوس می شود. سپس برای بهبود تطبیق امپدانس و افزایش پهنای باند امپدانسی آنتن، دی الکتریک ساختار به طور کامل حذف گردیده و شکاف های غیر تشعشعی در صفحه های بالا و پایین به آنتن اضافه می شوند. حذف عایق SIW باعث افزایش پهنای باند آنتن نسبت به پهنای باند آنتن معمولی شیپوری شده و اضافه کردن شکاف های تشعشعی، بهره آنتن را نیز بهبود قابل ملاحظه ای می دهد. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهند که آنتن پیشنهادی این مقاله، 28/3 را پوشش داده و بهره آن نیز در GHz 27/2 تا GHz محدوده فرکانسی 15/3 با بازده تشعشعی 98 % تغییر می کند. در dBi 10/1 تا dBi این بازه بین انتها به منظور افزایش بهره آنتن، یک آرایه دوبعدی از آنتن پیشنهادی در صفحه با ساختار تغذیه مناسب طراحی شده است.
کلمات کلیدی
, آنتن شیپوری, موجبر مجتمع شده در زیرلایه, شکاف تشعشعی, شکاف غیر تشعشعی, صفحه بازتابنده.
@article{paperid:1091875,
author = {حقیرالسادات طرنجی, سیدحسین and نشاطی, محمدحسن},
title = {طراحی و شبیه سازی آنتن شیپوری ESIW با بهره بالا و پهنای باند بهبودیافته},
journal = {مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران},
year = {2022},
volume = {20},
month = {November},
issn = {1682-3745},
pages = {195--205},
numpages = {10},
keywords = {آنتن شیپوری، موجبر مجتمع شده در زیرلایه، شکاف تشعشعی، شکاف غیر تشعشعی، صفحه بازتابنده.},
}
%0 Journal Article
%T طراحی و شبیه سازی آنتن شیپوری ESIW با بهره بالا و پهنای باند بهبودیافته
%A حقیرالسادات طرنجی, سیدحسین
%A نشاطی, محمدحسن
%J مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران
%@ 1682-3745
%D 2022
