عنوان : ( تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی 3.1-10.6 GH با استفاده از روش خنثی سازی نویز )
نویسندگان: مهدی فروزانفر , ساسان ناصح ,
Full Textچکیده
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز باند فوق پهن، درفناوری µm CMOS0.18 مورد بررسی قرار خواهد گرفت. در مدار ارائه شده، خنثی سازی دو منبع اصلی نویز تقویت کننده و افزایش ترارسانایی موثر طبقه ورودی، باعث گردیده است نویز فیگر تقویت کننده فوق، به طور موثری کاهش یابد. در این مدار برای افزایش عرض باند تقویت کننده از روش های تزویج متقابل و پل موازی-سری استفاده شده است. این تقویت کننده در باند فرکانسی GHz 10.6-3.1 ، دارای بهره توان dB 0.45± 17.55 و عدد نویز متوسط dB2.32 می باشد و ضریب انعکاس ورودی و خروجی آن، S11 وS22 ، به ترتیب کمتر ازdB 14- و dB 17- می باشند. توان مصرفی تقویت کننده از منبع ولتاژ 1.8 ولت mW 12.2 می باشد. چون درتقویت کننده پیشنهادی، سه مکانیسم مختلف در کاهش عدد نویز مدار دخالت دارند، در طراحی آن، نسبت به سایر تقویت کننده هایی که با استفاده از روش خنثی سازی نویز پیاده سازی شده اند، از آزادی عمل بیشتری برخوردار هستیم. این امر باعث گردیده تقویت کننده فوق، نسبت به سایر تقویت کننده های مشابه دارای بهره توان بالاتر و عدد نویز کمتری باشد.
کلمات کلیدی
, باند فوق پهن, تقویت کننده کم نویز, خنثی سازی نویز, عدد نویز
@inproceedings{paperid:1016816,
author = {فروزانفر, مهدی and ناصح, ساسان},
title = {تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی 3.1-10.6 GH با استفاده از روش خنثی سازی نویز},
booktitle = {هفدهمین همایش مهندسی برق ایران (ICEE2009)},
year = {2009},
location = {تهران, ايران},
keywords = {باند فوق پهن، تقویت کننده کم نویز، خنثی سازی نویز، عدد نویز},
}
%0 Conference Proceedings
%T تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی 3.1-10.6 GH با استفاده از روش خنثی سازی نویز
%A فروزانفر, مهدی
%A ناصح, ساسان
%J هفدهمین همایش مهندسی برق ایران (ICEE2009)
%D 2009
