عنوان : ( بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک )
نویسندگان: زهرا ابراهیمی , سید ابراهیم حسینی ,
Full Textچکیده
در این مقاله یک ترانزیستور لایه نازک جدید را معرفی می کنیم. این ترانزیستور حالت دوگانه BJT و FET را همزمان دارد. در این ساختار، ترانزیستور BJT بصورت جانبی ساخته شده و در زیر آن یک اتصال گیت با اکسید نازک قرار داده شده است. جهت بررسی عملکرد ترانزیستور، اثر ولتاژ گیت بر روی IC، IB و مطالعه شده است. مهمترین ویژگی این ترانزیستور کنترل بهره با تغییر ولتاژ گیت است. شبیه سازی نشان می دهد که افزایش ولتاژ گیت باعث افزایش IC و و کاهش IB می گردد.
کلمات کلیدی
, ترانزیستور لایه نازک , کنترل بهره, ولتاژ گیت
@inproceedings{paperid:1026916,
author = {زهرا ابراهیمی and حسینی, سید ابراهیم},
title = {بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک},
booktitle = {کنفرانس فیزیک ایران 1389},
year = {2010},
location = {همدان, ايران},
keywords = {ترانزیستور لایه نازک ، کنترل بهره، ولتاژ گیت},
}
%0 Conference Proceedings
%T بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک
%A زهرا ابراهیمی
%A حسینی, سید ابراهیم
%J کنفرانس فیزیک ایران 1389
%D 2010
