عنوان : ( یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI )
نویسندگان: فرانک همایونی , سید ابراهیم حسینی ,
Full Textچکیده
در این مقاله یک ساختار BJT جانبی دو امیتری متقارن (SDE LBJT) روی زیرپایه SOI طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات DC خوبی دارد. همچنین بهره جریان بیش از 1500 با عرض بیس um2/0 در جریان پایین بدست آمده است که حدود 5/7 برابر بهبود در بهره جریان نسبت به LBJT هایی که قبلاً گزارش شده دارد. همچنین جریان راه اندازی و فرکانس کار خوبی بدست آمده است. این نتایج نشان می دهد که ساختار SDE LBJT مناسب برای کاربردهای توان کم می باشد.
کلمات کلیدی
, BJT جانبی, بهره جریان, SOI
@inproceedings{paperid:1026975,
author = {فرانک همایونی and حسینی, سید ابراهیم},
title = {یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI},
booktitle = {هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران},
year = {2010},
location = {اصفهان, ايران},
keywords = {BJT جانبی، بهره جریان، SOI},
}
%0 Conference Proceedings
%T یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI
%A فرانک همایونی
%A حسینی, سید ابراهیم
%J هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
%D 2010
