عنوان : ( بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند )
نویسندگان: سید ابراهیم حسینی , مصطفی کنعان آذر ,
Full Textچکیده
در این پژوهش تغییرات مشخصات ترانزیستورهای فت بدون پیوند دوگیتی، مانند ولتاژ آستانه، DIBL، شیب زیر آستانه و جریان اشباع درین در اثر تغییر تصادفی توزیع ناخالصیها بررسی شده است. به این منظور یک ترانزیستور فت بدون پیوند دو گیتی سیلیکونی با طول گیت nm 30، ضخامت لایه فعال nm 9 و ضخامت اکسید nm 1 با شبیه سازیهای متعدد فیزیکی بررسی شده است.
کلمات کلیدی
, تغیر تصادفی ناخالصی¬ها, ترانزیستور فت بدن پیوند, ولتاژ آستانه.
@inproceedings{paperid:1046642,
author = {حسینی, سید ابراهیم and مصطفی کنعان آذر},
title = {بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند},
booktitle = {دوازدهمین کنفرانس ماده چگال انجمن فیزیک ایران},
year = {2015},
location = {اصفهان, ايران},
keywords = {تغیر تصادفی ناخالصی¬ها، ترانزیستور فت بدن پیوند، ولتاژ آستانه.},
}
%0 Conference Proceedings
%T بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند
%A حسینی, سید ابراهیم
%A مصطفی کنعان آذر
%J دوازدهمین کنفرانس ماده چگال انجمن فیزیک ایران
%D 2015
