عنوان : ( ارائه راهکار برای مشکل سلولهای نیمه-انتخابی در سلول SRAM تکسر )
نویسندگان: سحر فاطمی , احسان رحیمی نژاد , رضا لطفی ,
Full Textچکیده
مشکل سلولهای نیمه انتخابی یکی از مسائلی است که با پیشرفت تکنولوژی و کاهش ولتاژ، اهمیت بسیاری در طراحی سلول حافظه دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) پیدا میکند. اتصال گره خروجی سلولهای نگهدارنده داده در زمان نوشتن به ولتاژ BL پیششارژ شده، ممکن است سبب تغییر دادهی این سلولها شود. همچنین در صورت وجود مشکل سلولهای نیمه انتخابی، استفاده از طراحی bit-interleaving امکانپذیر نیست. این مقاله یک ساختار جدید 10 ترانزیستوری به صورت تکسر برای سلول SRAM پیشنهاد میکند که به منظور رفع مسئله سلولهای نیمه انتخابی و بهبود عملیات نوشتن طراحی شده است. در این ساختار بدون اضافه شدن مدار کمکی و افزایش مساحت و توان مصرفی، این مشکل برطرف شده است. علاوه بر این، ساختار پیشنهادی برای مواردی که مصرف توان پایین اهمیت بالایی دارد مناسب است. با توجه به شبیهسازیهای انجام شده برای حافظه 1 کیلوبیت در تکنولوژی nm65 و مقایسه با سایر ساختارها، در ساختار پیشنهادی انرژی نوشتن \\\"صفر\\\" aJ/kb53 در ولتاژ V0.6 و فرکانس MHz5 به دست آمده است.
کلمات کلیدی
, SRAM مصرف توان جریان نشتی سلولهای نیمهانتخابی bit, interleaving قطع منبع
@article{paperid:1106722,
author = {فاطمی, سحر and احسان رحیمی نژاد and لطفی, رضا},
title = {ارائه راهکار برای مشکل سلولهای نیمه-انتخابی در سلول SRAM تکسر},
journal = {مهندسی برق دانشگاه تبریز},
year = {2025},
month = {June},
issn = {2008-7799},
keywords = {SRAM مصرف توان جریان نشتی سلولهای نیمهانتخابی bit-interleaving قطع منبع},
}
%0 Journal Article
%T ارائه راهکار برای مشکل سلولهای نیمه-انتخابی در سلول SRAM تکسر
%A فاطمی, سحر
%A احسان رحیمی نژاد
%A لطفی, رضا
%J مهندسی برق دانشگاه تبریز
%@ 2008-7799
%D 2025
