نمایش نتایج جستجو برای
نویسنده: محمود رضائی رکن آبادی
موارد یافت شده: 21
1 - COMPARISON OF LOW FIELD ELECTRON TRANSPORT IN SiC AND GaN STRUCTURES FOR HIGH-POWER AND HIGH-TEMPERATURE DEVICE MODELING (چکیده)2 - بررسی نظری اثر هیدروژن بر روی سیلیکون بی شکل (چکیده)
3 - بررسی خواص ساختاری اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک اکسید قلع آلاینده با ناخالصی ایندیوم (چکیده)
4 - ویژگیهای ساختاری, اپتیکی و الکتریکی اکسید ایندیوم با ناخالصی قلع آماده شده به روش اسپری-پایرولیزیز (چکیده)
5 - بررسی خواص ساختاری اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک اکسید قلع دوپ شده با ناخالصی ایندیوم (چکیده)
6 - بررسی اثر ایندیوم Indium-doped در فیلم های نازک sno2 ساخته شده به روش سل ژل (چکیده)
7 - بررسی نظری رسانایی الکتریکی سامان الکترود-فولرین-الکترود (چکیده)
8 - سنتز نانو ذرات اکسید ایندیوم با ناخالصی قلع (ITO) به روش سل-ژل و بررسی خواص ساختاری آنها (چکیده)
9 - محاسبه حالات الکترونی مولکول C60 در یک مدل تقریب بستگی قوی (چکیده)
10 - EFFECT OF VARIOUS MATERIAL PARAMETERS ON THE CALCULATED VELOCITY-FIELD RELATION IN Al0.2Ga0.8N AT ROOM TEMPERATURE (چکیده)
11 - بررسی اثر هیدروژن بر روی لایه های نازک تهیه شده از پلیمر نیمه هادی PEDT/ PSS (چکیده)
12 - بررسی اثر هیدروزن در لایه های نازک اکسیدقلع آلاییده شده با درصدهای مختلف ناخالصی ایندیوم (چکیده)
13 - بررسی حسگرهای لایه نازک اکسید قلع با درصدهای مختلف ناخالصی ایندیوم به روش اسپری پایرولیزیز (چکیده)
14 - Temperature Dependence of High Field Electron Transport Properties in Wurtzite Phase GaN for Device Modeling (چکیده)
15 - COMPARISON OF STEADY-STATE AND TRANSIENT ELECTRON TRANSPORT IN InAs, InP AND GaAs (چکیده)
16 - MONTE CARLO MODELING OF HOT ELECTRON TRANSPORT IN BULK AlAs, AlGaAs AND GaAs AT ROOM TEMPERATURE (چکیده)
17 - Comparison of High and Low Field Electron Transport in Al0.2Ga0.8N, AlN and GaN (چکیده)
18 - DISCRETIZATION METHOD OF HYDRODYNAMIC EQUATIONS FOR SIMULATION OFGaNMESFETs (چکیده)
19 - Temperature and Doping Dependencies of Electron Mobility in InAs, AlAs,and AlGaAs at High Electric Field Application (چکیده)
20 - A novel technique for increasing electron mobility of indium-tin-oxide transparent conducting films (چکیده)
21 - Enhancement of drift mobility of zinc oxide transparent-conducting films by a hydrogenation process (چکیده)
