بازگشت به فرم جستجو »

نمایش نتایج جستجو برای

نویسنده: Seyed Ebrahim Hosseini


موارد یافت شده: 61

1 - Design and AC Modeling of a Bipolar GNR-h-BN RTD With Enhanced Tunneling Properties and High Robustness to Edge Defects (چکیده)
2 - A New Graphene Nanoribbon based Resonant Tunneling Diodes using BN Quantum Well (چکیده)
3 - A proposal for an all optical full adder using nonlinear photonic crystal ring resonators (چکیده)
4 - A reconfigurable multi-band, multi-bias THz absorber (چکیده)
5 - Application of nonlinear photonic crystal ring resonators in realizing all optical OR/NOT/AND gates (چکیده)
6 - The effect of uniaxial and torsional strains on the density of states of single walled carbon nanotubes (چکیده)
7 - بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با وارد کردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین (چکیده)
8 - An Analytical Fifth-Nearest Neighbor Tight-Binding Investigation of the Effect of Mechanical Deformations on SWCNTs (چکیده)
9 - Investigation of A I GaNIGaN HEMTs with step aluminum mole fraction and doping level in the barrier layer (چکیده)
10 - Quasi-Schottky-Barrier UTBB SOI MOSFET for Low-Power Robust SRAMs (چکیده)
11 - A silicon doped hafnium oxide ferroelectric p–n–p–n SOI tunneling field–effect transistor with steep subthreshold slope and high switching state current ratio (چکیده)
12 - A 3D analytical modeling of tri-gate tunneling field-effect transistors (چکیده)
13 - Analytical modeling of subthreshold swing in undoped trigate SOI MOSFETs (چکیده)
14 - Analytical modeling of potential distribution in trigate SOI MOSFETs (چکیده)
15 - Analysis of Radio Frequency and Stability Performance on Double-Gate Extended Source Tunneling Field-Effect Transistors (چکیده)
16 - RF Modeling of p-n-p-n Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistors (چکیده)
17 - A Novel Double Gate Tunnel Field Effect Transistor with 9 mV/dec Average Subthreshold Slope (چکیده)
18 - Radio-frequency small-signal model of hetero-gate-dielectric p-n-p-n tunneling field effect transistor including charge conservation capacitance and substrate parameters (چکیده)
19 - Analysis of radio frequency and stability performance on double-gate extended source tunneling field-effect transistors (چکیده)
20 - بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند (چکیده)
21 - بررسی اثر هال در صفحه گرافین برای نانو سنسورهای مغناطیسی در تکنولوژی CMOS (چکیده)
22 - Analytical modeling of a p-n-i-n tunneling field effect transistor (چکیده)
23 - Radio-frequency modeling of square-shaped extended source tunneling field-effect transistors (چکیده)
24 - معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی (چکیده)
25 - A 2-D Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs (چکیده)
26 - The relationship between Ownership Structure and Stock Price Volatility with Dividend in Listed Firms of TehranStock Exchange (چکیده)
27 - Design and Optimization of a P+N+IN+ Tunnel FET with Si Channel and SiGe Source (چکیده)
28 - Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering (چکیده)
29 - Design of tunneling field-effect transistor (TFET) with AlGaAs/InGaAs hetero-junction (چکیده)
30 - Threshold characteristics analysis of InP-based PhC VCSEL with buried tunnel junction (چکیده)
31 - Analysis of Lattice Temperature Effects on a GaInP/6H-SiC Strained Quantum-Well Lasers (چکیده)
32 - ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای مشخصه جریان درین-ولتاژ گیت در ترانزیستور تونلی دو گیتی (چکیده)
33 - A novel AlGaN/GaN HEMT with a p-layer in the barrier (چکیده)
34 - A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel (چکیده)
35 - INVESTIGATION OF A NOVEL P+N+IN+ TUNNEL FET (چکیده)
36 - Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics (چکیده)
37 - بررسی اثر تابع کار سه فلزی بر عملکرد FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت (چکیده)
38 - IMPROVED SHORT CHANNEL EFFECTS IN 4H-SIC MOSFET WITH DUAL MATERIAL GATE STRUCTURE (چکیده)
39 - Design and Optimization of A P+N+IN+ Tunnel FET (چکیده)
40 - بررسی مشخصه منفی در ترانزیستور لایه نازک (چکیده)
41 - Modeling SOI-MOSFET Using Neuro Space Mapping (چکیده)
42 - The Effects of Random Distribution Fluctuations of Dopants on SOI-MOSFET Performance (چکیده)
43 - یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI (چکیده)
44 - NOVEL STRUCTURES FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS (چکیده)
45 - ارائه یک ترانزیستور دوقطبی با کنترل بهره (چکیده)
46 - محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه (چکیده)
47 - Reducing Short Channel Effects in Dual Gate SOI-MOSFETs with a Drain Dependent Gate Bias (چکیده)
48 - بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک (چکیده)
49 - معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی (چکیده)
50 - DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate (چکیده)
51 - A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer (چکیده)
52 - Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time (چکیده)
53 - An analytical gate tunneling current model for MOSFETs (چکیده)
54 - تصحیح کوانتومی ادوات نیمه هادی با نگاشت فضایی عصبی (چکیده)
55 - IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER (چکیده)
56 - Two-Dimensional Analytical Modeling of Fully Depleted Short-Channel Dual-Gate Silico-on-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (چکیده)
57 - Modeling Semiconductor Device by Using Neuro Space Mapping (چکیده)
58 - Accurate Analytical Model for Current–Voltage and Small-Signal Characteristics of AlmGa1_mN/GaN Modulation-Doped Field-Effect Transistors (چکیده)
59 - Analytical modelling of gate tunneling current of MOSFETs based on quantum tunneling (چکیده)
60 - Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side (چکیده)
61 - Neuro-fuzzy based constraint programming (چکیده)